栅极驱动源电流（IOL）和灌电流（IOH）的选取需根据电机启动电流的1.5-2倍计算，并保留足够裕量以确保驱动能力。以电机启动电流359mA为例，建议如下：
一、栅极驱动器介绍
1）为什么需要栅极驱动器？
栅极驱动器是低压控制器和高压电路之间的缓冲电路，用于放大控制器的控制信号，从而实现功率器件更有效的导通和关断。
1.栅极驱动器的作用总结如下：
1.将控制器的低压信号转化为更高电压的驱动信号，以实现功率器件稳定导通和关断。
2.栅极驱动器能提供瞬态的拉和灌电流，提高功率器件的开关速度，降低开关损耗。
3.驱动器能够有效隔绝高功率电路的噪声，防止敏感电路被干扰。
4. 通常驱动器集成了保护功能，有效防止功率器件损坏。
2）功率器件开关过程
栅极驱动是如何控制功率器件导通关断的呢？下面将详细介绍功率器件开关过程。功率器件存在等效的寄生电容，CGS, CGD，CDS。功率器件的开关过程可以等效成对寄生电容的充放电过程。
1. 导通过程
对于导通过程，驱动芯片将输出经过内部拉电流MOS接到驱动电源，通过栅极电阻对CGS充电和CGD放电。
✓(t0-t1)阶段：栅极电流给 CGS充电，VGS电压逐渐增加。此时功率器件还处于完全关断状态。
✓(t1-t2)阶段：VGS电压升高到大于栅极阈值电压Vth，功率器件开始导通，IDS电流随着VGS升高而增加直到最大值。
✓(t2-t3)阶段：属于Miller平台期间，栅极电流主要给CGD放电，VDS电压开始降低。器件进入完全导通状态。
✓(t3-t4)阶段：栅极电流继续给CGS充电， VGS逐渐上升到电源电压，栅极电流降低为零，导通过程结束，其中，功率器件的导通损耗主要发生在t1-t3阶段。
2. 关断过程
对于关断过程，驱动芯片将输出经过内部灌电流MOS接到GND，通过栅极电阻对CGS放电和对CGD充电。
✓(t0-t1)阶段：栅极电流主要给 CGS放电，VGS电压逐渐减小。
✓(t1-t2)阶段：属于Miller平台期间，栅极电流主要给CGD充电，同时VDS电压开始上升，当电压达到VDC后，Miller平台结束。
✓(t2-t3)阶段：IDS电流开始降低，当VGS降低至Vth时，IDS降为零，功率器件完全关断。
✓(t3-t4)阶段：栅极电流继续给CGS放电，VGS电压最终降低为零。关断过程结束。
✓功率器件的关断损耗主要发生在t1-t3
综上可知，缩减t1-t3阶段时间，能够有效降低功率器件的开关损耗。
3）常见的三种驱动芯片介绍
目前常用的驱动芯片有三种，分别是非隔离低边驱动，非隔离半桥驱动，隔离驱动。
1. 对于非隔离低边驱动，只能用于参考是GND的功率器件，可以实现双通道或单通道驱动。非隔离驱动应用比较简单，只需要单电源供电即可。主要用于低压系统中，如AC/DC、电动工具，低压DC/DC等。目前纳芯微有非隔离低边驱动芯片NSD1026V和NSD1015等。
图二：非隔离低边驱动功能框图
2. 非隔离半桥驱动用于带半桥的功率系统中。高低边的耐压通常采用电平转换或隔离，耐压在200V-600V范围。为了防止出现桥臂直通，半桥驱动都带有互锁功能。在系统应用中，通常采用单电源加自举供电，主要应用在低压或高压系统中，如AC/DC、电机驱动，车载DC/DC等。目前纳芯微有半桥驱动芯片NSD1624，NSD1224等。
图三：非隔离半桥驱动功能框图
3. 隔离驱动，通过内部隔离带，将高压和低压进行物理隔离。隔离驱动应用灵活，有单通道和双通道隔离驱动，可以用于低边，高边或半桥应用等。为了在系统中实现原副边隔离，高压侧需要采用隔离电源供电，供电系统相对复杂。隔离驱动主要用于高压系统中，如电驱，光伏逆变器，OBC等。目前纳芯微有双通道隔离驱动NSI6602，单通道隔离驱动NSI6601/NSI6601M，光耦兼容的隔离单管驱动NSI6801，智能隔离驱动NSI6611/NSI68515等。
图四：隔离驱动功能框图
参数计算
- IOL：≥1.5×359mA≈538mA，建议取≥700mA（70%裕量）
- IOH：≥1.5×359mA≈538mA，建议取≥700mA（70%裕量） 1
实际应用建议
- 选择驱动芯片时，需确保其标称最大电流（如2A、3A）高于计算值，并考虑散热和保护电路设计。 1
- 若驱动碳化硅MOSFET等高功率器件，需进一步增加裕量（如1A以上）以应对瞬态电流冲击。 2
注意事项
- 栅极电阻会影响实际电流需求，串联电阻值需根据器件特性调整。 34
- 峰值电流（Ipeak）需结合栅极电阻计算，通常比平均电流更高。